DLC类金刚石WCC多层膜的制备以及膜层各项参数
来源:公司动态 | 发布日期:2024-04-02

       类金刚石膜是以石墨或碳氢化合物等为原料,在低温低压下人工合成的一种含有SP3和SP2键的非晶碳膜。由于其具有一系列与金刚石相接近的优良性能和结构特征,国内外科技工作者对DLC膜的制备工艺、结构形态、物理测定、应用开拓和专业化生产等方面进行了广泛的研究,采用阳极型气体离子源结合非平衡磁控溅射复合技术的方法,制备Cr过渡层的DLC/wcc薄膜,并对其膜层性能、界面、结构及成分分布等进行了分析,以期为制备优质的DLC膜积累有用的特性数据。

       采用阳极层流型矩形气体离子源,并结合非平衡磁控溅射进行掺钨类金刚石薄膜沉积。主要沉积DLC薄膜:当在磁控靶前面时,主要沉积wcc薄膜,最终实现DLC/WCC多层膜的制备。

       DLC/wcc薄膜(约2200nm)。膜层总厚度约2.7um;显微硬度HV0.025,15为3550,明显高于掺钛类金刚石膜的硬度(HV0.025,15为2577);摩擦因数为0.139(与钢对磨)。

        所沉积的膜层与较软的Ti6AI4V基体结合良好,划痕边缘没有明显的崩膜,到52N后才露出基体,也就是膜基结合力达到了52N,达到工业应用离子镀TiN薄膜的膜/基结合水平。

1、膜层厚度2.7μm,硬度为3550HV,与钢对磨时摩擦因数为0.139,在Ti6AI4V钛合金上膜/基结合力达52N。

2、WCC/DLC多层膜,调制周期为4nm。

3、DLC/wcc薄膜仍呈现出类金刚石膜的主要特征

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